| 专利名称 | 专利类型 | 专利号 | 权属单位 | 发明人 | 授权日期 | 专利简介 | 联系人 |
| 一种冷等离子体处理的苜蓿育种方法 | 发明专利 | ZL201410020247.x | 中国农业大学 | 王德成、邵长勇、王光辉、刘亮东、尤泳、吴焕民、冯金奎、贺长彬、粱方、白阳、张晓明、马晓刚、余勇 | 2015.9.9 | 本发明提供了一种冷等离子体处理的苜蓿育种方法，冷等离子体处理苜蓿育种材料，优选育具有目标性状的苜蓿，填补了农业科学领域冷等离子体种子处理技术在苜蓿育种应用方面的空白。以氦气为工作介质，在真空封闭环境中，1-500W的处理功率下对苜蓿原材料进行15-20s的非电离幅射处理。苜蓿最佳处理时间为18S；处理功率为20W，处理后的苜蓿种子发芽能力提高；所述处理功率为80W，处理后的苜蓿的株高提高；处理功率为20W，处理后的苜蓿的产量提高；理功率分别为100W、160 W或200W，处理后的苜蓿的制种产量增加。与未经任何处理的同一批苜蓿原材料相比，处理后的苜蓿种子发芽能力提高和/或苜蓿的株高提高和/或苜蓿的产量提高和/或苜蓿的制种产量增加，进而获得苜蓿新品种的育种方法。 |
丁荣超 18953606986 |